STMicroelectronics STripFET F3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 20 A 70 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 907-4744
- Herst. Teile-Nr.:
- STL8N10LF3
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
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| 10 - 20 | CHF.1.26 | CHF.12.60 |
| 30 - 90 | CHF.1.229 | CHF.12.24 |
| 100 - 490 | CHF.0.966 | CHF.9.65 |
| 500 - 990 | CHF.0.767 | CHF.7.69 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 907-4744
- Herst. Teile-Nr.:
- STL8N10LF3
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Serie | STripFET F3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 70W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.2 mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Serie STripFET F3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 70W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.2 mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
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