STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 5 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 786-3741
- Herst. Teile-Nr.:
- STL60N10F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*
CHF.4.15
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.0.83 | CHF.4.16 |
| 25 - 45 | CHF.0.788 | CHF.3.95 |
| 50 - 120 | CHF.0.735 | CHF.3.67 |
| 125 - 245 | CHF.0.714 | CHF.3.58 |
| 250 + | CHF.0.693 | CHF.3.49 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 786-3741
- Herst. Teile-Nr.:
- STL60N10F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Breite | 6.35 mm | |
| Länge | 5.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie STripFET H7 | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.95mm | ||
Breite 6.35 mm | ||
Länge 5.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 5 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 30 A 75 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 5 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 5 W, 8-Pin STL110N10F7 PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 30 A 75 W, 8-Pin STL30N10F7 PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 42 A 100 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 100 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 42 A 100 W, 8-Pin STL42P6LLF6 PowerFLAT