STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 22 A 2.8 W, 5-Pin PowerFLAT

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
783-3113
Herst. Teile-Nr.:
STL36N55M5
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

22A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

MDmesh M5

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

62nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-25V, +25V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

2.8W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

950μm

Länge

8mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

8mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics


Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.