STMicroelectronics MDmesh II Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 600 V / 2.2 A 22 W, 8-Pin PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV
- RS Best.-Nr.:
- 151-422
- Herst. Teile-Nr.:
- STL3NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 151-422
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- STL3NM60N
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV | |
| Serie | MDmesh II | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 22W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV | ||
Serie MDmesh II | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 22W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt. Dieser revolutionäre Leistungs-MOSFET verbindet eine vertikale Struktur mit dem Streifenlayout des Unternehmens, um einen der weltweit niedrigsten Widerstände zu erzielen. Er ist daher für die anspruchsvollsten Konverter mit hohem Wirkungsgrad geeignet.
100 % Avalanche-getestet
Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
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