STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 373 A 188 W, 8-Pin PowerFLAT (3,3 x 3,3)
- RS Best.-Nr.:
- 330-473
- Herst. Teile-Nr.:
- STL130N4LF8
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 330-473
- Herst. Teile-Nr.:
- STL130N4LF8
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 373A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT (3,3 x 3,3) | |
| Serie | STL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 373A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT (3,3 x 3,3) | ||
Serie STL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Die 40-V- und 100-V-Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics bieten eine höhere Leistungsdichte und ermöglichen die Verwendung kleinerer Gehäuse für ein kompaktes Systemdesign, ohne die elektrische Leistung zu beeinträchtigen. Sie bieten eine verbesserte Störfestigkeit durch verbesserte Filterung von Überschwingern der Ausgangsspannung.
Optimierte Gate-Ladung für schnellere Kommutierungsgeschwindigkeiten
Höhere Immunität gegen unerwünschtes Einschalten
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