STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 750 V / 25 A, 4-Pin PowerFLAT 5x6 HV

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RS Best.-Nr.:
275-1318
Herst. Teile-Nr.:
SGT65R65AL
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

25 A

Drain-Source-Spannung max.

750 V

Gehäusegröße

PowerFLAT 5x6 HV

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

4

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

GaN

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Ursprungsland:
CN
Der E-Mode-PowerGaN-Transistor von STMicroelectronics kombiniert mit einer etablierten Verpackungstechnologie. Das resultierende G-HEMT-Gerät bietet extrem niedrige Leitungsverluste, hohe Stromvermögen und einen ultraschnellen Schaltbetrieb, um eine hohe Leistungsdichte und eine unschlagbare Effizienzleistung zu ermöglichen.

Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit
Hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit
Extrem niedrige Kapazitäten
Kelvin-Quelle-Pad für optimale Gate-Antrieb
Keine umgekehrte Wiederherstellungsladung

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