STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche 750 V Erweiterung / 25 A, 4-Pin PowerFLAT (5 x 6) HV

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
275-1317
Herst. Teile-Nr.:
SGT65R65AL
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

750 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

25 A

Pinanzahl

4

Gehäusegröße

PowerFLAT (5 x 6) HV

Ursprungsland:
CN
The STMicroelectronics e-mode powerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.

Very high switching speed

High power management capability

Extremely low capacitances

Kelvin source pad for optimum gate driving

Zero reverse recovery charge

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.