STMicroelectronics Typ N-Kanal, SMD 750 V Erweiterung / 25 A, 4-Pin PowerFLAT (5 x 6) HV
- RS Best.-Nr.:
- 275-1317
- Herst. Teile-Nr.:
- SGT65R65AL
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 275-1317
- Herst. Teile-Nr.:
- SGT65R65AL
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der E-Mode-PowerGaN-Transistor von STMicroelectronics kombiniert mit einer etablierten Verpackungstechnologie. Das resultierende G-HEMT-Gerät bietet extrem niedrige Leitungsverluste, hohe Stromvermögen und einen ultraschnellen Schaltbetrieb, um eine hohe Leistungsdichte und eine unschlagbare Effizienzleistung zu ermöglichen.
Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit
Hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit
Extrem niedrige Kapazitäten
Kelvin-Source-Pad für optimale Gate-Führung
Keine umgekehrte Wiederherstellungsaufladung
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