STMicroelectronics M6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 11 A 90 W, 5-Pin PowerFlat HV
- RS Best.-Nr.:
- 203-3438
- Herst. Teile-Nr.:
- STL19N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STL19N60M6
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerFlat HV | |
| Serie | M6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 308mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 90W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 8.1mm | |
| Breite | 0.95 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerFlat HV | ||
Serie M6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 308mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 90W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 8.1mm | ||
Breite 0.95 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der STMicroelectronics N-Kanal-MDmesh M6-Leistungs-MOSFET umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten Mdmesh-Familie von SJ MOSFETs. Die vorherige Generation von MDmesh Geräten durch die neue M6-Technologie wird von STMicroelectronics gebaut. Dies kombiniert eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz der Endanwendung.
Geringere Schaltverluste
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
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