STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 100 A 541 W, 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 215-070
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT020W120G3-4AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 215-070
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT020W120G3-4AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 541W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 121nC | |
| Durchlassspannung Vf | 3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 541W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 121nC | ||
Durchlassspannung Vf 3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Äußerst geringe Gate-Ladung und Eingangskapazität
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode