STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 900 V Erweiterung / 110 A, 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 482-970
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT012W90G3-4AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.30.603
Auf Lager
- Zusätzlich 30 Einheit(en) mit Versand ab 20. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.30.60 |
| 5 + | CHF.29.68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 482-970
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT012W90G3-4AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 900V | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 21mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Höhe | 5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 900V | ||
Serie SCT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 21mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Höhe 5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
AEC-Q101 qualifiziert
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 900 V / 110 A 625 W, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Erweiterung / 56 A, 4-Pin
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Erweiterung / 55 A, 4-Pin
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Erweiterung / 30 A, 4-Pin
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Erweiterung / 40 A, 4-Pin
- STMicroelectronics Sct N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 900 V / 110 A 625 W, 3-Pin HIP-247-3
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 210 W, 4-Pin
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 100 A 541 W, 4-Pin