Nexperia NextPowerS3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 42 A 46 W, 8-Pin PSMN014-40HLDX LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-283
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN014-40HLDX
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 219-283
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN014-40HLDX
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | NextPowerS3 | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie NextPowerS3 | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia in einem LFPAK56D-Gehäuse nutzt die NextPowerS3-Technologie und bietet hohe Leistung und Effizienz. Es ist ideal für Anwendungen wie bürstenlose DC-Motorsteuerung, DC/DC-Wandler, leistungsstarke synchronen Gleichrichter und Server-Netzteile.
Zweifach-MOSFET
Wiederholt lawinenbeständig
Kupferclip und Lötmutterbefestigung
Qualifiziert für 175 °C
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