Nexperia NextPowerS3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 300 A 291 W, 5-Pin PSMN0R9-30YLDX LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-274
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN0R9-30YLDX
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- PSMN0R9-30YLDX
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | NextPowerS3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.87mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 291W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 109nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie NextPowerS3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.87mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 291W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 109nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über das NextPowerS3-Portfolio, das die einzigartige SchottkyPlus-Technologie von NXP nutzt, und bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine niedrige Spitzenleistung, die üblicherweise mit MOSFETs mit einer integrierten Schottky- oder Schottky-ähnlichen Diode verbunden ist, aber ohne problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 ist besonders geeignet für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad bei hohen Schaltfrequenzen.
Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand
Hochzuverlässiger Clip, geklebt und mit Lötmatte befestigt, Power SO8-Gehäuse
Wave-Lötfähig
Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung
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