Nexperia NextPowerS3 Technology Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 166 W, 5-Pin PSMN1R4-30YLDX
- RS Best.-Nr.:
- 219-402
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN1R4-30YLDX
- Marke:
- Nexperia
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|---|---|
| 1 - 9 | CHF.1.71 |
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- RS Best.-Nr.:
- 219-402
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN1R4-30YLDX
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | NextPowerS3 Technology | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.42mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 166W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie NextPowerS3 Technology | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.42mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 166W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über das NextPowerS3-Portfolio, das die einzigartige SchottkyPlus-Technologie von NXP nutzt, und bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine niedrige Spitzenleistung, die üblicherweise mit MOSFETs mit einer integrierten Schottky- oder Schottky-ähnlichen Diode verbunden ist, aber ohne problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 ist besonders geeignet für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad bei hohen Schaltfrequenzen.
Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand
Hochzuverlässiger Clip, geklebt und mit Lötmatte befestigt, Power SO8-Gehäuse
Wave-Lötfähig
Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung
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