Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 238 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-316
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN2R0-30YLE,115
- Marke:
- Nexperia
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- 219-316
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN2R0-30YLE,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 238W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 238W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia ist in einem LFPAK-Gehäuse untergebracht und für 175 °C qualifiziert. Er wurde für eine Vielzahl von industriellen, Kommunikations- und Haushaltsanwendungen entwickelt. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören elektronische Sicherungen, Hot-Swap, Lastschalter und Sanftanlauf.
Verbesserter vorwärtsgerichteter sicherer Betriebsbereich für überragenden Betrieb im linearen Modus
Sehr niedriger Rdson für niedrige Leitungsverluste
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