Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 238 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-317
Herst. Teile-Nr.:
PSMN2R0-30YLE,115
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PSM

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

87nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Verlustleistung Pd

238W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia ist in einem LFPAK-Gehäuse untergebracht und für 175 °C qualifiziert. Er wurde für eine Vielzahl von industriellen, Kommunikations- und Haushaltsanwendungen entwickelt. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören elektronische Sicherungen, Hot-Swap, Lastschalter und Sanftanlauf.

Verbesserter vorwärtsgerichteter sicherer Betriebsbereich für überragenden Betrieb im linearen Modus

Sehr niedriger Rdson für niedrige Leitungsverluste

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