Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 160 A 254 W, 5-Pin PSMN3R3-80YSFX LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-378
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN3R3-80YSFX
- Marke:
- Nexperia
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 219-378
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN3R3-80YSFX
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 160A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | PSM | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 254W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 160A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie PSM | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 254W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia ist für 175 °C qualifiziert. Es ist ideal für Industrie- und Verbraucheranwendungen. Er eignet sich für synchrone Gleichrichter in AC/DC- und DC/DC-Wandlern, primäres Seitenschalten in 48-V-DC/DC-Systemen, BLDC-Motorsteuerung, USB-PD- und mobile Schnellladeadapter sowie Flyback- und Resonanztopologien.
Starke Lawinen-Energieeinstufung
Lawinengeprüft und 100 % geprüft
Ha-frei und RoHS-konform
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