Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 160 A 124 W, 5-Pin PSMN2R1-30YLEX LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-388
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN2R1-30YLEX
- Marke:
- Nexperia
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- 219-388
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN2R1-30YLEX
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 160A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.17mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 124W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 160A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.17mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 124W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-ASFET von Nexperia in einem LFPAK56-Gehäuse ist für einen niedrigen RDSon und einen starken sicheren Betriebsbereich optimiert, womit er sich ideal für Hot-Swap-, Inrush- und Linearmodusanwendungen eignet. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören Hot-Swap in 12-20-V-Systemen, E-Sicherung, DC-Schalter, Lastschalter und Batterieschutz.
Kupferclip für niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand
LFPAK-Gehäuse mit hoher Zuverlässigkeit
Qualifiziert für 175 °C
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