onsemi NTMFS3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 135 A 119 W, 5-Pin DFN-5
- RS Best.-Nr.:
- 220-551
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS3D5N08XT1G
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.03 | CHF.10.17 |
| 50 - 95 | CHF.1.929 | CHF.9.64 |
| 100 - 495 | CHF.1.788 | CHF.8.95 |
| 500 - 995 | CHF.1.646 | CHF.8.23 |
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- RS Best.-Nr.:
- 220-551
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS3D5N08XT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 135A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | NTMFS3 | |
| Gehäusegröße | DFN-5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 119W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 135A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie NTMFS3 | ||
Gehäusegröße DFN-5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 119W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5.15 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die ON Semiconductor Power-MOSFET-Technologie mit klassenbestem On-Widerstand für Motortreiberanwendungen. Ein geringerer On-Widerstand und eine geringere Gate-Ladung können Leitungsverluste und Antriebsverluste reduzieren. Eine gute Softness-Steuerung für die Rückwärtserholung der Body-Diode kann die Belastung durch Spannungsspitzen ohne zusätzliche Snubber-Schaltung in der Anwendung reduzieren.
Halogenfrei
RoHS-konform
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