onsemi NTM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 310 A 135 W, 8-Pin DFN-8
- RS Best.-Nr.:
- 277-046
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFSC0D8N04XMTWG
- Marke:
- onsemi
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| 5 - 45 | CHF.1.25 | CHF.6.23 |
| 50 - 95 | CHF.1.187 | CHF.5.92 |
| 100 - 495 | CHF.1.092 | CHF.5.48 |
| 500 - 995 | CHF.1.008 | CHF.5.05 |
| 1000 + | CHF.0.966 | CHF.4.85 |
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- RS Best.-Nr.:
- 277-046
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFSC0D8N04XMTWG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 310A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFN-8 | |
| Serie | NTM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.78mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 72nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 135W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, RoHS | |
| Breite | 6.15 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 310A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFN-8 | ||
Serie NTM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.78mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 72nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 135W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, RoHS | ||
Breite 6.15 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Die ON Semiconductor Power-MOSFET-Technologie mit klassenbestem On-Widerstand für Motortreiberanwendungen. Ein geringerer On-Widerstand und eine geringere Gate-Ladung können Leitungsverluste und Antriebsverluste reduzieren. Eine gute Softness-Steuerung für die Rückwärtserholung der Body-Diode kann die Belastung durch Spannungsspitzen ohne zusätzliche Snubber-Schaltung in der Anwendung reduzieren.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Hohe Schaltgeschwindigkeit bei geringer Kapazität
Softbody-Diode mit Rückspeisung
Extrem niedriger Widerstand zur Minimierung von Leitungsverlusten
Gerät ist Pb-frei und RoHS-konform
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