ROHM R60 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 26 A 100 W, 3-Pin R6061YNXC7G TO-220FM
- RS Best.-Nr.:
- 264-496
- Herst. Teile-Nr.:
- R6061YNXC7G
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220FM | |
| Serie | R60 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 66mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220FM | ||
Serie R60 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 66mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET 600V 26A TO 220 FM von ROHM zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand aus, wodurch er sich für Schaltanwendungen eignet.
Niedriger Einschaltwiderstand
Schnelles Umschalten
Antriebsschaltungen können einfach sein
Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfreie Formmasse
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