ROHM R6012JNX Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 60 W, 3-Pin R6012JNXC7G TO-220FM

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185-1298
Herst. Teile-Nr.:
R6012JNXC7G
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220FM

Serie

R6012JNX

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

390mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

16.27mm

Länge

10.3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5 mm

Automobilstandard

Nein

Der R6012JNX ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller umgekehrter Erholungszeit (trr), geeignet für Schaltanwendungen.

Schnelle umgekehrte Erholungszeit (trr)

Geringer Durchlasswiderstand

Hohe Umschaltgeschwindigkeit

Antriebsschaltungen können einfach sein

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

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