ROHM SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 24 A 93 W, 7-Pin TO-263

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264-592
Herst. Teile-Nr.:
SCT4062KWATL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SCT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

124mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

3.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

±21 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Maximale Verlustleistung Pd

93W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der ROHM 1200V 24A Siliziumkarbid-SiC-Graben-MOSFET in einem 7-poligen SMD-Gehäuse bietet eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Durchlasswiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit.

Niedriger Einschaltwiderstand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Schnelle Rückgewinnung

Leicht zu parallelisieren

Einfach zu fahren

Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform

Breite Kriechstrecke gleich min. 4,7mm

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