ROHM SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 17 A 100 W, 7-Pin TO-263-7LA

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Herst. Teile-Nr.:
SCT3160KWAHRTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Gehäusegröße

TO-263-7LA

Serie

SCT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

208mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

3.2V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Gate-Source-spannung max Vgs

18V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Breite

10.2mm

Höhe

4.5mm

Länge

15.4mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der ROHM-MOSFET ist ein AEC-Q101-qualifizierter SiC-Graben-MOSFET für die Automobilindustrie. Er zeichnet sich durch eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit aus und ist damit die ideale Wahl für anspruchsvolle Automobilanwendungen, die eine effiziente und zuverlässige Leistung erfordern.

RoHS-Konformität

Pb-freie Bleibeschichtung

Schnelle Rückgewinnung

Leicht zu parallelisieren

Einfach zu fahren

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