ROHM SCT4018KWA Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 1200 V / 75 A 267 W, 8-Pin TO-263-7LA
- RS Best.-Nr.:
- 687-342
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT4018KWATL
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*
CHF.50.568
Auf Lager
- Zusätzlich 1’000 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.25.284 | CHF.50.58 |
| 10 + | CHF.24.528 | CHF.49.07 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-342
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT4018KWATL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT4018KWA | |
| Gehäusegröße | TO-263-7LA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 267W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 170nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 21 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Breite | 10.2 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 15.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT4018KWA | ||
Gehäusegröße TO-263-7LA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 267W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 170nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 21 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.5mm | ||
Breite 10.2 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 15.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für ein effizientes Energiemanagement in einer Vielzahl von Anwendungen entwickelt. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 1200 V und einem niedrigen Einschaltwiderstand von 18 mΩ optimiert dieser MOSFET die Leistung in hocheffizienten Systemen wie Solarwechselrichtern und Induktionsheizungen. Er bietet ein robustes Wärmemanagement mit einem Sperrschichttemperaturbereich von bis zu 175 °C und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb auch in anspruchsvollen Umgebungen. Das Gerät verfügt über eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, die es ideal für Anwendungen macht, die ein Hochfrequenzschalten erfordern, wodurch die Gesamteffizienz und -leistung des Systems verbessert wird.
Niedriger Einschaltwiderstand sorgt für minimalen Energieverlust während des Betriebs
Unterstützt schnelle Schaltgeschwindigkeiten für verbesserte Effizienz
Entwickelt für den einfachen Parallelbetrieb, der die Skalierbarkeit erleichtert
Robuste thermische Eigenschaften ermöglichen den Betrieb unter extremen Bedingungen
Die Pb-freie Bleibeschichtung entspricht den RoHS-Normen für Umweltsicherheit
Großer Kriechstreckenabstand von 4,7 mm erhöht die Zuverlässigkeit bei Hochspannungsanwendungen
Ideal für verschiedene Anwendungen, einschließlich Solarwechselrichter und DC/DC-Wandler
Verwandte Links
- ROHM SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 17 A 100 W, 7-Pin SCT3160KWAHRTL TO-263-7LA
- ROHM SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 17 A 100 W, 7-Pin SCT3160KWATL TO-263-7LA
- ROHM SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 24 A 93 W, 7-Pin SCT4062KWAHRTL TO-263-7LA
- ROHM SCT4036KWA Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 1200 V / 40 A 150 W, 8-Pin SCT4036KWATL TO-263-7LA
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 75 A, 7-Pin TO-263
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 75 A, 7-Pin SCT4018KW7TL TO-263
- ROHM SCT4045 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 31 V / 31 A 93 W, 5-Pin SCT4045DWAHRTL TO-263-7LA
- ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 1200 V 267 W, 3-Pin TO-247N
