ROHM SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 17 A 100 W, 7-Pin TO-263-7LA

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265-379
Herst. Teile-Nr.:
SCT3160KWATL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Serie

SCT

Gehäusegröße

TO-263-7LA

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

208mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Durchlassspannung Vf

3.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der ROHM-MOSFET ist ein AEC-Q101-qualifizierter SiC-Graben-MOSFET für die Automobilindustrie. Er zeichnet sich durch eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit aus und ist damit die ideale Wahl für anspruchsvolle Automobilanwendungen, die eine effiziente und zuverlässige Leistung erfordern.

RoHS-Konformität

Pb-freie Bleibeschichtung

Schnelle Rückgewinnung

Leicht zu parallelisieren

Einfach zu fahren

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