ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 40 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 265-252P
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3L120BJFRATCB
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 265-252P
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3L120BJFRATCB
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Serie | RQ3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 106mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.7nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Serie RQ3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 106mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.7nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der ROHM-MOSFET für die Automobilindustrie ist eine ideale Lösung für Fahrerassistenzsysteme, Infotainment, Beleuchtung und Karosserieanwendungen. Seine robuste Konstruktion gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Automobilumgebungen. Realisierung einer hohen Montagesicherheit durch originelle Klemmen- und Plattierungsbehandlung.
RoHS-Konformität
AEC Q101 Qualifiziert
Kleines Gehäuse mit hoher Leistung