Teile-Nr.

Infineon FZ1200 P-Kanal 3, Chassismontage MOSFET 4500 V / 1,2 kA Einschub

RS Best.-Nr.:: 277-198
Herst. Teile-Nr.:: FZ1200R45HL4BPSA1
Marke:: Infineon

Infineon FZ1200 P-Kanal 3, Chassismontage MOSFET 4500 V / 1,2 kA Einschub

Nicht verfügbar

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RS Best.-Nr.:: 277-198
Herst. Teile-Nr.:: FZ1200R45HL4BPSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Channel-Typ	P
	Dauer-Drainstrom max.	1,2 kA
	Drain-Source-Spannung max.	4500 V
	Serie	FZ1200
	Gehäusegröße	Einschub
	Montage-Typ	Chassismontage
	Channel-Modus	Depletion
	Transistor-Werkstoff	Si
	Anzahl der Elemente pro Chip	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Channel-Typ P
	Dauer-Drainstrom max. 1,2 kA
	Drain-Source-Spannung max. 4500 V
	Serie FZ1200
	Gehäusegröße Einschub
	Montage-Typ Chassismontage
	Channel-Modus Depletion
	Transistor-Werkstoff Si
	Anzahl der Elemente pro Chip 3

Datasheet - FZ1200R45HL4BPSA1

Ursprungsland:: HU

Das Infineon IGBT Modul ist ein IHV-B 4500 V, 1200 A 190 mm Einzelschalter IGBT Modul mit Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode und isolierter AlSiC Base Plate. Die beste Lösung für Ihre Industrieanwendungen.

Hohe Leistungsdichte
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