Infineon FZ1200 Typ P-Kanal, Fahrgestell MOSFET 4500 V Entleerung / 1.2 kA 2400 kW Einschub FZ1200R45HL4S7BPSA1

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RS Best.-Nr.:
277-199
Herst. Teile-Nr.:
FZ1200R45HL4S7BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.2kA

Drain-Source-Spannung Vds max.

4500V

Serie

FZ1200

Gehäusegröße

Einschub

Montageart

Fahrgestell

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2400kW

Durchlassspannung Vf

2.95V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
HU
Das Infineon IGBT Modul ist ein IHV-B 4500 V, 1200 A 190 mm Einzelschalter IGBT Modul mit Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode und isolierter AlSiC Base Plate. Die beste Lösung für Ihre Industrieanwendungen.

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