Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 331 A 395 W, 8-Pin IPT017N12NM6ATMA1 PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-689
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT017N12NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 284-689
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT017N12NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 331A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 331A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon verfügt über einen OptiMOS 6-Leistungstransistor, der einen neuen Benchmark für die Leistung in der Halbleiterindustrie setzt. Dieses Produkt wurde für hohe Effizienz und außergewöhnliches Wärmemanagement entwickelt und eignet sich hervorragend für anspruchsvolle Anwendungen. Mit seinem robusten Design, das 120 V unterstützt, ist er auf Hochfrequenzschaltungen zugeschnitten und bietet Zuverlässigkeit und Geschwindigkeit, ohne Kompromisse bei der Energieeffizienz einzugehen. Der N-Kanal-MOSFET integriert einen sehr niedrigen Widerstand beim Einschalten und eine minimale Gate-Ladung, was ihn zu einer idealen Lösung für die Leistungsumwandlung und Steuerung in industriellen Umgebungen macht. Seine fortschrittliche Technik gewährleistet die Einhaltung von RoHS- und anderen Umweltstandards, was es zu einer nachhaltigen und leistungsorientierten Wahl für moderne Elektronik macht.
Optimiert für Hochfrequenzleistung
Hervorragender thermischer Wirkungsgrad für Zuverlässigkeit
Geringer Widerstand reduziert Energieverluste
Schnelles Aufladen des Tores für rasche Operationen
Qualifiziert für industrielle Leistung
Umweltverträglichkeit und Nachhaltigkeit
Sicherer Umgang mit hoher Lawinenenergie
Großer Betriebstemperaturbereich
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