Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 331 A 300 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 273-2792
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT014N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.6.237
Auf Lager
- Zusätzlich 100 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 49 | CHF.6.24 |
| 50 - 99 | CHF.5.67 |
| 100 - 249 | CHF.5.19 |
| 250 - 999 | CHF.4.79 |
| 1000 + | CHF.4.45 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2792
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT014N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 331A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 160nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 331A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der MOSFET von Infineon ist ein N-Kanal-MOSFET mit 80 V und für batteriebetriebene Anwendungen optimiert. Er ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser MOSFET ist vollständig gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen qualifiziert und halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.
RoHS-konform
Bleifreie Beschichtung
Exzellente Gate-Ladung
Sehr geringer Widerstand
Zu 100 Prozent auf Lawinendurchbruch getestet
Verwandte Links
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 331 A 300 W, 8-Pin IPT014N08NM5ATMA1 PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 169 A 167 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 169 A 167 W, 8-Pin IPT029N08N5ATMA1 PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 8 A 167 W, 8-Pin IPT60T065S7XTMA1 PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 313 A 214 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 331 A 395 W, 8-Pin IPT017N12NM6ATMA1 PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 313 A 214 W, 8-Pin IPT012N06NATMA1 PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 87 A 234 W, 8-Pin IPT129N20NM6ATMA1 PG-HSOF-8
