Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 23 A 390 W, 8-Pin IPT60T022S7XTMA1 PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-260
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60T022S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPT60T022S7XTMA1
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 390W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, JS-001, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 390W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, JS-001, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der CoolMOS S7 von Infineon weist die niedrigsten Rdson-Werte für einen HV-SJ-MOSFET auf, was zu einer deutlichen Steigerung der Energieeffizienz führt. Der eingebettete Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit bei der Messung der Sperrschichttemperatur und ermöglicht gleichzeitig eine einfache und nahtlose Implementierung. Der CoolMOS S7 ist für statisches Schalten und Hochstromanwendungen optimiert. Er eignet sich ideal für Halbleiterrelais, Leistungsschalter und die Netzgleichrichtung in SMPS- und Wechselrichter-Topologien. Der neue Temperatursensor verbessert die Eigenschaften von S7 und ermöglicht die bestmögliche Nutzung des Leistungstransistors.
CoolMOS S7-Technologie ermöglicht niedrigsten RDS(on) auf kleinster Grundfläche
Optimierte Preisleistung bei niederfrequenten Schaltanwendungen
Hohe Impulsstromfähigkeit
Lückenlose Diagnose auf dem niedrigsten System
Temperatursensor zum Schutz und zur optimierten Nutzung des thermischen Geräts
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