Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 245 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-261
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60T040S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.6.405
Auf Lager
- 2’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.6.41 |
| 10 - 99 | CHF.5.75 |
| 100 - 499 | CHF.5.31 |
| 500 - 999 | CHF.4.94 |
| 1000 + | CHF.4.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-261
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60T040S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 83nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 245W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 83nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 245W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der CoolMOS S7 von Infineon weist die niedrigsten Rdson-Werte für einen HV-SJ-MOSFET auf, was zu einer deutlichen Steigerung der Energieeffizienz führt. Der eingebettete Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit bei der Messung der Sperrschichttemperatur und ermöglicht gleichzeitig eine einfache und nahtlose Implementierung. Der CoolMOS S7 ist für statisches Schalten und Hochstromanwendungen optimiert. Er eignet sich ideal für Halbleiterrelais, Leistungsschalter und die Netzgleichrichtung in SMPS- und Wechselrichter-Topologien. Der neue Temperatursensor verbessert die Eigenschaften von S7 und ermöglicht die bestmögliche Nutzung des Leistungstransistors.
CoolMOS S7-Technologie ermöglicht niedrigsten RDS(on) auf kleinster Grundfläche
Optimierte Preisleistung bei niederfrequenten Schaltanwendungen
Hohe Impulsstromfähigkeit
Lückenlose Diagnose auf dem niedrigsten System
Temperatursensor zum Schutz und zur optimierten Nutzung des thermischen Geräts
Verwandte Links
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 8 A 167 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 23 A 390 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 119 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 87 A 234 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 169 A 167 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 331 A 300 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 313 A 214 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 142 A 694 W, 8-Pin PG-HSOF-8