Infineon IPT N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 142 A 694 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-256
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R016CM8XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 142A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 694W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 171nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 142A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 694W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 171nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Leistungs-MOSFET der IPT-Serie von Infineon, 600 V Drain-Source-Spannung, 142 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPT60R016CM8XTMA1
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und wird in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für die Integration auf bestückten Leiterplatten geeignet ist, wo eine robuste Wärme- und Stromverarbeitung erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 16 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste bei hoher Last
• 142 A Dauerstrom unterstützt Hochstromstufen
• Die typische Gate-Ladung von 171 nC ermöglicht schnellere Gate-Drive-Übergänge
• Maximale Verlustleistung von 694 W hilft bei der thermischen Margenplanung
• 30-V-Gate-Toleranz unterstützt flexible Gate-Drive-Spannungen
• 16 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste bei hoher Last
• 142 A Dauerstrom unterstützt Hochstromstufen
• Die typische Gate-Ladung von 171 nC ermöglicht schnellere Gate-Drive-Übergänge
• Maximale Verlustleistung von 694 W hilft bei der thermischen Margenplanung
• 30-V-Gate-Toleranz unterstützt flexible Gate-Drive-Spannungen
Anwendungsbereiche
• Geeignet für industrielle Motorwechselrichterstufen
• Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Verwendung mit resonanten und hartgeschalteten SMPS-Topologien
• Kann für Traktions- und Hochleistungs-DC/DC-Systeme verwendet werden
• Geeignet für die Stromverteilung und das Schalten auf Board-Ebene
• Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Verwendung mit resonanten und hartgeschalteten SMPS-Topologien
• Kann für Traktions- und Hochleistungs-DC/DC-Systeme verwendet werden
• Geeignet für die Stromverteilung und das Schalten auf Board-Ebene
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird für die Leiterplattenmontage verwendet?
Er wird in einem PG-HSOF-8-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, um die automatisierte Montage und die Wärmeleitung zur Leiterplatte zu erleichtern.
Wie funktioniert es bei extremen Temperaturen?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und unterstützt Anwendungen, die großen Temperaturschwankungen ausgesetzt sind.
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannungen dürfen 30 V nicht überschreiten, um eine Gate-Dielektrische Belastung zu vermeiden.
Entspricht er den branchenüblichen Prüfstandards?
Er erfüllt die JEDEC-Normen für die Qualifizierung und Handhabung von Halbleitern.
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