Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 297 A 39 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-120
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT020N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.6.132 | CHF.12.28 |
| 20 - 198 | CHF.5.523 | CHF.11.06 |
| 200 - 998 | CHF.5.093 | CHF.10.19 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-120
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT020N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 297A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 135V | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 159nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 39W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 297A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 135V | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 159nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 39W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für effiziente Leistungsschaltanwendungen entwickelt wurde. Er bietet einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)), wodurch Leitungsverluste reduziert und die Gesamtleistung verbessert wird. Mit einem ausgezeichneten Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) sorgt er für eine hervorragende Schalteffizienz. Der MOSFET zeichnet sich außerdem durch eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) aus, die eine bessere Effizienz bei Schaltvorgängen ermöglicht.
Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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