Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 600 V / 70 A 390 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-258
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R037CM8XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 349-258
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R037CM8XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 37mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 390W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 37mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 390W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die Infineon CoolMOS-Plattform der 8. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600 V CoolMOS CM8-Serie ist der Nachfolger des CoolMOS 7. Sie vereint die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit, z. B. geringer Klingeltendenz, integrierter schneller Body-Diode für alle Produkte mit herausragender Robustheit gegenüber harter Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen die extrem niedrigen Schalt- und Leitungsverluste des CM8 Schaltanwendungen noch effizienter.
Geeignet für harte und weiche Schalttopologien
Einfache Handhabung und schnelle Einarbeitung durch geringe Klingelneigung
Vereinfachtes Wärmemanagement dank unserer fortschrittlichen Die-Attach-Technik
Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen und Leistungsbereichen
Lösungen mit höherer Leistungsdichte durch den Einsatz von Produkten mit geringerer Stellfläche
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