Infineon IPT N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 600 V / 70 A 390 W, 8-Pin PG-HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
349-258
Herst. Teile-Nr.:
IPT60R037CM8XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

IPT

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

37mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

79nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

390W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC for Industrial Applications

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Leistungstransistor der IPT-Serie von Infineon, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 70 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPT60R037CM8XTMA1


Dieser Leistungstransistor ist ein Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET, der für industrielle Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und ist für oberflächenmontierte Baugruppen vorgesehen, bei denen eine robuste Strombelastbarkeit und eine hohe Spannungstoleranz erforderlich sind. Das Gerät ist speziell für industrielle JEDEC-Anwendungen konzipiert und eignet sich für Umgebungen, die eine hohe Verlustleistung und eine zuverlässige Gate-Steuerung erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• Die Nennleistung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 70 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Niedrige Rds(on) von 37 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 390 W ermöglicht einen hohen Temperaturbereich
• Die typische Gate-Ladung von 79 nC gleicht Antriebs- und Schaltgeschwindigkeit aus
• Gate-Toleranz von ±20 V vereinfacht das Gate-Drive-Design

Anwendungsbereiche


• Geeignet für industrielle Motor-Frequenzumrichter-Stufen
• Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Einsatz mit Brückentopologien in Wechselrichtern für erneuerbare Energien
• Kann für hart schaltende industrielle Leistungsmodule verwendet werden
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandlungsstufen

Welchem Temperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich für raue thermische Umgebungen und Anwendungen mit erhöhtem Gehäuse.

Wie ist das Gerät für die Montage verpackt?


Er wird in einem 8-poligen PG-HSOF-8-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für die Leiterplatten-Reflow-Montage und kompakte Leiterplatten-Layouts vorgesehen ist.

Welche Gate- und Kanalcharakteristiken wirken sich auf die Antriebsschaltkreise aus?


Das N-Kanal-Verbesserungsgerät hat eine typische Gate-Ladung von 79 nC und eine maximale Gate-to-Source-Nennspannung von 20 V, was die Auswahl des Gate-Treibers und die Schutzspannen anzeigt.

Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Schaltleistung aus?


Eine Durchlassspannung von 0,9 V trägt zu einem schnellen Einschaltverhalten bei und trägt bei der Berechnung des gesamten Leitungsverlusts bei.

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