Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 600 V / 70 A 390 W, 8-Pin PG-HSOF-8

RS Best.-Nr.:: 349-258
Herst. Teile-Nr.:: IPT60R037CM8XTMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 600 V / 70 A 390 W, 8-Pin PG-HSOF-8

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RS Best.-Nr.:: 349-258
Herst. Teile-Nr.:: IPT60R037CM8XTMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-Transistor
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	70A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	PG-HSOF-8
	Serie	IPT
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	37mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	390W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	79nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	JEDEC for Industrial Applications
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-Transistor
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße PG-HSOF-8
	Serie IPT
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 37mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 390W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen JEDEC for Industrial Applications
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPT60R037CM8XTMA1

Ursprungsland:: MY

Die Infineon CoolMOS-Plattform der 8. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600 V CoolMOS CM8-Serie ist der Nachfolger des CoolMOS 7. Sie vereint die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit, z. B. geringer Klingeltendenz, integrierter schneller Body-Diode für alle Produkte mit herausragender Robustheit gegenüber harter Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen die extrem niedrigen Schalt- und Leitungsverluste des CM8 Schaltanwendungen noch effizienter.

Geeignet für harte und weiche Schalttopologien

Einfache Handhabung und schnelle Einarbeitung durch geringe Klingelneigung

Vereinfachtes Wärmemanagement dank unserer fortschrittlichen Die-Attach-Technik

Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen und Leistungsbereichen

Lösungen mit höherer Leistungsdichte durch den Einsatz von Produkten mit geringerer Stellfläche

Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 600 V / 70 A 390 W, 8-Pin PG-HSOF-8

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