Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 650 V / 52 A 272 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 273-2797
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R045CFD7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- 273-2797
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R045CFD7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 52A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 272W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 52A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 272W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon ist ein CoolMOS CFD7 600V-Leistungstransistor. Bei CoolMOS handelt es sich um eine revolutionäre Hochspannungs-Leistungs-MOSFET-Technologie, die nach dem Superjunction-Prinzip arbeitet und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Der neueste Serie CoolMOS CFD7 ist die Nachfolgeserie der CoolMOS CFD2-Serie und bietet eine optimierte Plattform, die speziell auf Soft-Switching-Anwendungen wie PSFB und LLC zugeschnitten ist. Aufgrund der reduzierten Gate-Ladung, der branchenweit besten Reverse-Recovery-Ladung und des verbesserten Abschaltverhaltens bietet der CoolMOSCFD7 höchste Effizienz in resonanten Topologien.
RoHS-konform
Niedrige Gate-Ladung
Ultra schnelle Bodydiode
Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte
Hervorragende Robustheit bei intensiver Kommutierung
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