Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 0.82 V / 23 A 390 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 273-2796
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R022S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
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| 50 - 99 | CHF.8.46 |
| 100 - 249 | CHF.7.76 |
| 250 - 999 | CHF.7.18 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2796
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R022S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 0.82V | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 390W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 0.82V | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 390W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon ist ein 600 V CoolMOS SJ S7 Leistungsbauteil. Er bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis für niederfrequente Schaltanwendungen. Der CoolMOS S7 verfügt über die niedrigsten Rdson-Werte für einen HV-SJ-MOSFET, was zu einer deutlichen Steigerung der Energieeffizienz führt. CoolMOS S7 ist optimiert für statisches Schalten und Hochstromanwendungen. Er eignet sich ideal für Halbleiterrelais und Unterbrecherkontakte sowie für die Netzgleichrichtung in Schaltnetzteil- und Wechselrichtertopologien.
Völlig bleifrei
RoHS-konform
Kürzere Schaltzeiten
Einfache Sichtprüfung der Leitungen
Minimierte Leitungsverluste
Kompakteres und einfacheres Design
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