Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 212 A 294 W, 8-Pin PG-HSOG-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-137
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG029N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 349-137
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG029N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 212A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 135V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | PG-HSOG-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 294W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 104nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 212A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 135V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße PG-HSOG-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 294W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 104nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 135 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für eine hohe Effizienz in Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und so die Energieeffizienz erhöht. Mit einem ausgezeichneten Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) gewährleistet er eine optimale Schaltleistung. Der MOSFET bietet außerdem eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr), was die Schalteffizienz verbessert. Darüber hinaus ist er zu 100 % Avalanche-getestet und kann bei 175 °C betrieben werden, wodurch er sich für hohe Temperaturen und anspruchsvolle Umgebungen eignet.
Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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