Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 207 A 294 W, 7-Pin PG-TO263-7

RS Best.-Nr.:: 349-405
Herst. Teile-Nr.:: IPF031N13NM6ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 207 A 294 W, 7-Pin PG-TO263-7

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20 - 198	CHF.5.723	CHF.11.45
200 - 998	CHF.5.282	CHF.10.56
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RS Best.-Nr.:: 349-405
Herst. Teile-Nr.:: IPF031N13NM6ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-Transistor
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	207A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	135V
	Gehäusegröße	PG-TO263-7
	Serie	IPF
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	7
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.1mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	294W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	104nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-Transistor
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 207A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 135V
	Gehäusegröße PG-TO263-7
	Serie IPF
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 7
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.1mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 294W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 104nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPF031N13NM6ATMA1

Ursprungsland:: MY

Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 120 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste reduziert und die Gesamteffizienz verbessert werden. Mit einem hervorragenden Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) bietet er eine hervorragende Schaltleistung. Das Gerät hat außerdem eine sehr niedrige Rückgewinnungsladung (Reverse Recovery Charge, Qrr), die einen effizienten Betrieb gewährleistet.

Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020

Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 207 A 294 W, 7-Pin PG-TO263-7

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