Infineon IPF N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 207 A 294 W, 7-Pin PG-TO263-7

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RS Best.-Nr.:
349-405
Herst. Teile-Nr.:
IPF031N13NM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

207A

Drain-Source-Spannung Vds max.

135V

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Serie

IPF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

104nC

Maximale Verlustleistung Pd

294W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 120 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste reduziert und die Gesamteffizienz verbessert werden. Mit einem hervorragenden Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) bietet er eine hervorragende Schaltleistung. Das Gerät hat außerdem eine sehr niedrige Rückgewinnungsladung (Reverse Recovery Charge, Qrr), die einen effizienten Betrieb gewährleistet.

Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020

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