Infineon StrongIRFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 119 A 107 W, 3-Pin PG-TO263-3

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RS Best.-Nr.:
762-990
Herst. Teile-Nr.:
IPB023N03LF2SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

119A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Serie

StrongIRFET

Montageart

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

107W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

15.88mm

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der StrongIRFET 2-Leistungstransistor von Infineon ist ein 30-V-N-Kanal-MOSFET, der für verschiedene Anwendungen geeignet ist. Er arbeitet unter extremen Bedingungen mit einer maximalen Temperatur von 175 °C und entspricht den Umweltvorschriften.

100 % Avalanche-getestet

Pb-freie Bleiplattierung

RoHS-Konformität

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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