Infineon StrongIRFET N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 122 A 136 W, 3-Pin PG-TO263-3
- RS Best.-Nr.:
- 762-989
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB020N03LF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.1.707
Auf Lager
- 799 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.1.71 |
| 10 - 24 | CHF.1.43 |
| 25 - 99 | CHF.0.90 |
| 100 - 499 | CHF.0.87 |
| 500 + | CHF.0.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 762-989
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB020N03LF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 122A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-3 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.05mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 15.88mm | |
| Breite | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 122A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PG-TO263-3 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.05mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 15.88mm | ||
Breite 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der StrongIRFET 2-Leistungstransistor von Infineon ist ein 30-V-N-Kanal-MOSFET, der für verschiedene Anwendungen geeignet ist. Er arbeitet unter extremen Bedingungen mit einer maximalen Temperatur von 175 °C und entspricht den Umweltvorschriften.
100 % Avalanche-getestet
Pb-freie Bleiplattierung
RoHS-Konformität
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon StrongIRFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 119 A 107 W, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon StrongIRFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 125 A 167 W, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 28 A 124 W, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 136 A 300 W, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 87 A 234 W, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 138 A 300 W, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 250 A 395 W, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 120 V / 254 A 395 W, 7-Pin PG-TO263-7