Infineon StrongIRFET N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 125 A 167 W, 3-Pin PG-TO263-3
- RS Best.-Nr.:
- 762-987
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB018N03LF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 762-987
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB018N03LF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 125A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Breite | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 15.88mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 125A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie StrongIRFET | ||
Gehäusegröße PG-TO263-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Breite 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 15.88mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
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