Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 138 A 300 W, 7-Pin PG-TO263-7

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.9.209

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1’000 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.9.21
10 - 99CHF.8.29
100 - 499CHF.7.63
500 - 999CHF.7.09
1000 +CHF.6.35

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
349-407
Herst. Teile-Nr.:
IPF067N20NM6ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

138A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

IPF

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

72nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

100% Avalanche Tested, IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 120 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste reduziert und die Gesamteffizienz verbessert werden. Mit einem hervorragenden Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) bietet er eine hervorragende Schaltleistung. Das Gerät hat außerdem eine sehr niedrige Rückgewinnungsladung (Reverse Recovery Charge, Qrr), die einen effizienten Betrieb gewährleistet.

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020

Verwandte Links