Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 138 A 300 W, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 349-407
- Herst. Teile-Nr.:
- IPF067N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.7.817
Auf Lager
- 1'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.7.82 |
| 10 - 99 | CHF.7.04 |
| 100 - 499 | CHF.6.48 |
| 500 - 999 | CHF.6.02 |
| 1000 + | CHF.5.39 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-407
- Herst. Teile-Nr.:
- IPF067N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 138A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Serie | IPF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | 100% Avalanche Tested, IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 138A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Serie IPF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen 100% Avalanche Tested, IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 120 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste reduziert und die Gesamteffizienz verbessert werden. Mit einem hervorragenden Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) bietet er eine hervorragende Schaltleistung. Das Gerät hat außerdem eine sehr niedrige Rückgewinnungsladung (Reverse Recovery Charge, Qrr), die einen effizienten Betrieb gewährleistet.
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
Verwandte Links
- Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 87 A 234 W, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 250 A 395 W, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 120 V / 254 A 395 W, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 207 A 294 W, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IGBT-Transistormodul PG-TO263-7
- Infineon IMBG65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 68 A, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMBG65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 170 A, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMBG65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 34.9 A, 7-Pin PG-TO263-7