Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 454 A 375 W, 16-Pin PG-HDSOP-16

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-691
Herst. Teile-Nr.:
IPTC007N06NM5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

454A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-HDSOP-16

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

16

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET von Infineon verfügt über einen OptiMOS 5-Leistungstransistor, der für Hochleistungsanwendungen in Motorantrieben und batteriebetriebenen Systemen entwickelt wurde. Dieses Gerät zeichnet sich durch seine robuste 60-V-Nennleistung und seine hervorragende thermische Leistung aus und sorgt für Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen. Mit Funktionen, die für die TOP-Seitenkühlung optimiert sind, bietet dieser Transistor hohe Stromkapazitäten bei gleichzeitiger Beibehaltung der Effizienz unter strengen Betriebsstandards. Vollständig gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen qualifiziert, übertrifft es die 100 %igen Lawinenprüfkriterien und garantiert die Widerstandsfähigkeit gegen unerwartete Bedingungen. Das Gehäusedesign von PG HDSOP 16 fördert nicht nur eine verbesserte Kühlung, sondern hilft auch bei der platzsparenden Integration in verschiedene Designs.

Optimiert für effiziente Motorantriebe

N-Kanal-Design für einfache Integration

Pb-freie Bleibeschichtung erfüllt Umweltstandards

Halogenfrei für sicheres Lebenszyklusmanagement

Nenntemperatur 175 °C für erhöhte Zuverlässigkeit

100 % Lawinengeprüft für Sicherheit

Überlegenes thermisches Management verlängert die Lebensdauer

Kompatibel mit Industriestandardverpackungen

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