Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 503 A 358 W, 16-Pin IAUTN06S5N008TATMA1 PG-HDSOP-16-1

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RS Best.-Nr.:
284-707
Herst. Teile-Nr.:
IAUTN06S5N008TATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

503A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PG-HDSOP-16-1

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

16

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.79mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

358W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS 5 Automotive Power MOSFET wurde für die strengen Anforderungen moderner Automobilanwendungen entwickelt und verspricht hohe Zuverlässigkeit und Effizienz. Dieser Leistungstransistor wurde mit fortschrittlicher Technologie entwickelt und bietet eine außergewöhnliche Leistung bei gleichzeitiger Optimierung der thermischen Eigenschaften. Die robuste Bauweise sorgt für Betriebsstabilität über einen großen Temperaturbereich und ist damit die ideale Wahl für eine Vielzahl von Kfz-Anwendungen. Seine Konformität mit Industriestandards wie dem AEC Q101 bedeutet seine verbesserte Qualität und Leistung. Ideal für Kfz-Stromkreise, die eine intensive Strombehandlung erfordern. Dieses Gerät verpackt einen hohen Wirkungsgrad in einem kompakten Gehäuse und sorgt durch umfangreiche elektrische Prüfungen und Validierung für Zuverlässigkeit.

N-Kanal-Erweiterungsmodus für effizientes Schalten

Erweiterte Qualifikationen erhöhen die Zuverlässigkeit von Kraftfahrzeugen

Hohe thermische Beständigkeit für Langlebigkeit unter Belastung

Lawinengeprüft für robuste Leistung

MSL1-Nennleistung unterstützt 260 °C Spitzenreflow

100%ige elektrische Charakterisierung gewährleistet Konsistenz

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