Infineon OptiMOS Power Transistor P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 5,1 A, 8-Pin PG-TSDSON-8 FL

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-803
Herst. Teile-Nr.:
ISZ75DP15LMATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

5,1 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Serie

OptiMOS Power Transistor

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8 FL

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Infineon MOSFET ist ein hochmoderner Leistungstransistor, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Dieser mit fortschrittlicher OptiMOS-Technologie ausgestattete Baustein bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad bei einer maximalen Spannung von 150 V. Sein niedriger Durchlasswiderstand sorgt für minimale Energieverluste und macht ihn damit ideal für Anwendungen, die ein zuverlässiges Power-Management erfordern. Das Produkt ist vollständig nach JEDEC-Standards qualifiziert, was seine Eignung für anspruchsvolle industrielle Umgebungen garantiert. Mit seinen robusten thermischen Eigenschaften und der Fähigkeit, einem hohen kontinuierlichen Drainstrom standzuhalten, ist er ein Beispiel für Zuverlässigkeit und Langlebigkeit unter verschiedenen Bedingungen.

P Kanal-Design für vielseitiges Energiemanagement
Verbesserter Wärmewiderstand für mehr Zuverlässigkeit
100% lawinengeprüft und sicher
Kompatibilität auf Logikebene vereinfacht das Design
Pb-freie Bleibeschichtung für umweltfreundliche Praktiken
Halogenfreie Konstruktion erfüllt die Vorschriften
Breiter Betriebstemperaturbereich für Flexibilität
Kompaktes PG TSDSON 8-Gehäuse für einfache Integration

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