Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 62 A 94 W, 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
285-060
Herst. Teile-Nr.:
ISZ106N12LM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

62A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8

Serie

OptiMOS 6 Power Transistor

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

94W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein Leistungstransistor, der sich durch seine hohe Leistungsfähigkeit auszeichnet und auf die Anforderungen moderner elektronischer Systeme zugeschnitten ist. Seine fortschrittliche N-Kanal-Technologie bietet bemerkenswerte Effizienz und Zuverlässigkeit, was ihn ideal für Hochfrequenzschaltvorgänge macht. Dieses Produkt wurde für den professionellen Einsatz entwickelt und kombiniert einen geringen Widerstand mit hervorragenden Gate-Charakteristiken. Dies macht ihn zu einer geeigneten Wahl für die synchrone Gleichrichtung und für industrielle Anwendungen.

Sehr geringer Widerstand erhöht die Effizienz

Optimiert für hochfrequentes Schalten

Hohe Lawinenenergie für Zuverlässigkeit

Ausgezeichnete Gate-Ladung für schnelle Reaktion

Pb-freie Bleibeschichtung für Konformität

Betriebsbereich von 55°C bis 175°C

MSL 1 klassifiziert für einfache Herstellung

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