Infineon EasyPACK N-Kanal Dual MOSFET 1200 V / 25 A, 23-Pin AG-EASY1B

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-815
Herst. Teile-Nr.:
DF16MR12W1M1HFB67BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

25 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Serie

EasyPACK

Gehäusegröße

AG-EASY1B

Pinanzahl

23

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Das Infineon MOSFET-Modul ist eine innovative Lösung für Hochleistungsanwendungen, die nahtlos die CoolSiC Trench MOSFET-Technologie integriert. Dieses Modul wurde entwickelt, um den Anforderungen moderner Energiesysteme gerecht zu werden, und gewährleistet außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit. Mit seinem niederinduktiven Design und dem optimalen Wärmemanagement eignet er sich hervorragend für Umgebungen, in denen Leistungsdichte und Platzbedarf kritisch sind. Dieses fortschrittliche Produkt ist nach strengen Industriestandards validiert und garantiert seine Robustheit in verschiedenen Betriebsumgebungen.

Niedrig induktives Design verbessert die dynamische Leistung
Fortschrittliche PressFIT-Technologie für einfache Installation
Integrierter NTC-Sensor zur Temperaturüberwachung
Hohe Stromdichte für überragende Belastbarkeit
Robuste Montagelösungen gewährleisten Betriebsstabilität
Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß IEC-Normen

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