Infineon MOSFET 1200 V / 150 A FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 AG-EASY1BS-1

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Herst. Teile-Nr.:
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

AG-EASY1BS-1

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.8mΩ

Durchlassspannung Vf

5.95V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das Infineon CoolSiCTM EasyPACKTM1B für die Automobilindustrie ist ein Halbbrückenmodul, das die Vorteile der robusten Siliziumkarbidtechnologie von Infineon mit einem sehr kompakten und flexiblen Gehäuse für Hybrid- und Elektrofahrzeuge kombiniert. Das Leistungsmodul implementiert den neuen CoolSiCTM-Kfz-MOSFET 1200 V Gen1, der für Hochspannungsanwendungen wie DC/DC-Wandler und Hilfskonverter optimiert ist. Der Chipsatz bietet eine Referenzstromdichte, eine hohe Blockspannung und geringere Schaltverluste, was kompakte Designs ermöglicht und zur Verbesserung der Systemeffizienz sowie einen zuverlässigen Betrieb unter rauen Umgebungsbedingungen beiträgt.

Eigene Diode mit geringer Rückwärtswiederherstellung

Niedrige Streuinduktivität: 5 nH

Sperrspannung 1200 V

Geringe Schaltverluste

Integrierter NTC-Temperatursensor

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