Infineon MOSFET 1200 V / 150 A AG-EASY1BS-1
- RS Best.-Nr.:
- 258-0846
- Herst. Teile-Nr.:
- FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-0846
- Herst. Teile-Nr.:
- FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | AG-EASY1BS-1 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.8mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 5.95V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße AG-EASY1BS-1 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.8mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 5.95V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon CoolSiCTM EasyPACKTM1B für die Automobilindustrie ist ein Halbbrückenmodul, das die Vorteile der robusten Siliziumkarbidtechnologie von Infineon mit einem sehr kompakten und flexiblen Gehäuse für Hybrid- und Elektrofahrzeuge kombiniert. Das Leistungsmodul implementiert den neuen CoolSiCTM-Kfz-MOSFET 1200 V Gen1, der für Hochspannungsanwendungen wie DC/DC-Wandler und Hilfskonverter optimiert ist. Der Chipsatz bietet eine Referenzstromdichte, eine hohe Blockspannung und geringere Schaltverluste, was kompakte Designs ermöglicht und zur Verbesserung der Systemeffizienz sowie einen zuverlässigen Betrieb unter rauen Umgebungsbedingungen beiträgt.
Eigene Diode mit geringer Rückwärtswiederherstellung
Niedrige Streuinduktivität: 5 nH
Sperrspannung 1200 V
Geringe Schaltverluste
Integrierter NTC-Temperatursensor
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